導(dǎo)體項(xiàng)目全面投產(chǎn)，主要研究三極管、MOSFET 封裝測(cè)試、可控硅、三 端穩(wěn)壓管、高反壓開(kāi)關(guān)三極管、信號(hào)放大三極管、集成電路等；然后是重 慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司的 12 英寸功率半導(dǎo)體晶元測(cè)試片已順利產(chǎn)出， 預(yù)計(jì)年底正式量產(chǎn)，據(jù)悉，這是亞洲首款 12 寸半導(dǎo)體芯片。

電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過(guò)程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。 因此，研究封裝缺陷和失效需要對(duì)封裝過(guò)程有一個(gè)系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多 個(gè)角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。

IGBT 模塊并聯(lián)技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)。無(wú)論是受限于單模塊電 流能力不足，還是并聯(lián)方案更具成本優(yōu)勢(shì)，或是系統(tǒng)擴(kuò)展性、系列化需求，越來(lái) 越多的應(yīng)用需要 IGBT 模塊并聯(lián)方案。為了充分發(fā)揮并聯(lián)優(yōu)勢(shì)，均流效果就顯得尤為重要了，否則嚴(yán)重電流不平衡 將會(huì)導(dǎo)致某一模塊承受過(guò)大電流，從而限制并聯(lián)模塊整體輸出能力，無(wú)法達(dá)到預(yù) 計(jì)的并聯(lián)效果。

相比傳統(tǒng)的硅基電力電子器件，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁 帶半導(dǎo)體制備的新型電力電子器件憑借其優(yōu)異性能被認(rèn)為是可替代硅基器件的 重要選擇。