宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于高壓變頻、SVG、儲(chǔ)能等領(lǐng)域

針對(duì)以上兩種應(yīng)用,宏微科技推出75A-450A不同電流等級(jí)的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過(guò)每相采用單個(gè)或兩個(gè)及以上半橋模塊并聯(lián),基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級(jí)聯(lián)儲(chǔ)能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時(shí)針對(duì)小功率段的高壓變頻器,使用H橋一體化模塊,可以減少模塊使用數(shù)量,大幅削減鏈節(jié)體積,降低結(jié)構(gòu)成本。

基于GWB封裝平臺(tái) 功率密度高 低熱阻設(shè)計(jì) 低寄生電感 通過(guò)HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗(yàn)
1、常高溫下FRD壓降更低,熱阻更?。籌GBT壓降與競(jìng)品接近,但熱阻更小,從而使得整體發(fā)熱更小。
2、常高溫下,相同速度開關(guān)損耗更小,尖峰更低,寄生電感更小。

3、150℃,VGE=15V,Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。
4、通過(guò)HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗(yàn)
以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例
基于GW封裝平臺(tái) 集成度高 功率密度高 內(nèi)置NTC電阻 通過(guò)HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗(yàn)
以往高壓變頻器應(yīng)用為了搭建H橋拓?fù)?,需要?個(gè)“半橋的IGBT模塊”和1個(gè)“整流二極管模塊”來(lái)進(jìn)行組合構(gòu)建,總計(jì)使用3個(gè)功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊,只用1個(gè)模塊即可完成3個(gè)模塊的工作,同時(shí)還內(nèi)置了NTC熱敏電阻,以輔助我們?cè)趯?shí)際工作中進(jìn)行溫度監(jiān)控。
與原先方案對(duì)比,可實(shí)現(xiàn)的功能只多不少,而且1個(gè)一體化 IGBT模塊構(gòu)成高壓變頻器的1個(gè)單元,使系統(tǒng)級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)變得更容易。

如果運(yùn)行條件完全相同,使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節(jié)體積,從而縮小整機(jī)體積,降低結(jié)構(gòu)成本,優(yōu)化電氣特性。
宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品,不僅在芯片性能上進(jìn)行了改進(jìn),還在封裝形式上進(jìn)行創(chuàng)新,有效地降低了功耗,提升了效率;還具有更出色的可靠性能力,HV-H3TRB、防硫化等使其在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。
我們相信,1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)更高的性能和可靠性,同時(shí)也將為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)更多的創(chuàng)新和進(jìn)步。