11月11日，2023中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十六屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEEC & CPSSC 2023）在廣州隆重召開。會(huì)議通過大會(huì)報(bào)告、分會(huì)場(chǎng)報(bào)告、專題講座、技術(shù)報(bào)告、工業(yè)報(bào)告、墻報(bào)交流、現(xiàn)場(chǎng)展覽等形式對(duì)電源各個(gè)領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果、新工藝及新產(chǎn)品進(jìn)行深入交流與研討。

本次學(xué)術(shù)年會(huì)上，宏微科技重點(diǎn)展出的車規(guī)級(jí)功率器件、碳化硅功率器件、高壓1700V IGBT產(chǎn)品、光儲(chǔ)領(lǐng)域功率器件等產(chǎn)品，受到了與會(huì)技術(shù)專家和合作伙伴的高度關(guān)注。

同期，宏微科技受邀發(fā)表了《新型功率半導(dǎo)體在儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用》的演講，向與會(huì)者介紹了宏微模塊產(chǎn)品在儲(chǔ)能變流器（PCS）領(lǐng)域的應(yīng)用研究、PCS產(chǎn)品應(yīng)用案例等。內(nèi)容涵蓋IGBT功率器件在不同功率段、兩電平和三電平不同拓?fù)湫褪絻?chǔ)能系統(tǒng)的應(yīng)用；不同應(yīng)用場(chǎng)景（戶儲(chǔ)、工商業(yè)儲(chǔ)能、電站儲(chǔ)能）下IGBT功率模塊封裝、拓?fù)洹⑿酒倪x型；SiC SBD或SiC MOSFET與IGBT的混合應(yīng)用案例；并展示了NPC-I, NPC-T, ANPC使用混合模塊后在成本和性能上的優(yōu)勢(shì)。

隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，未來公司將繼續(xù)深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域，加強(qiáng)自主創(chuàng)新，為市場(chǎng)提供高可靠、高性能功率半導(dǎo)體芯片和模塊，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案，不斷提升用電效率，改善用電質(zhì)量。